創見資訊 1GB DDR2-800 記憶體 給我創見，其餘免談 全球記憶體模組領導廠商，創見資訊(Transcend)，研發製造出高速256MB以及512MB DDR2-800記憶體模組（創見料號: TS32/64MLQ64V8F及TS32/64MLQ72V8F）。 本記憶體模組是特別針對高性能的電腦而設計製造，適用於搭配高階晶片組的桌上型電腦和工作站。 目前DDR2-800記憶體模組每秒最大頻寬可達12.8GB（雙通道模式下）；透過1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量；先進的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性。DDR2記憶體使用ODT（On-Die Termination）技術可降低高速運作下記憶體信號的回授，進而提高記憶體時脈的極限值。DDR2記憶體現今最高可達單顆4 Gbit的容量，搭配上FBGA封裝方式，讓記憶體模組的容量極限更往上推升。 創見256MB/512MB DDR2-800記憶體模組，採用原廠先進FBGA封裝技術所製造之32Mx8顆粒，搭配高可靠度的六層電路板，優越的設計造就了系統的高穩定性和高可靠度，創見256MB/512MB DDR2-800記憶體模組是高階市場的最佳選擇。 產品特色：
創見資訊 1GB DDR2-800 記憶體
給我創見，其餘免談
全球記憶體模組領導廠商，創見資訊(Transcend)，研發製造出高速256MB以及512MB DDR2-800記憶體模組（創見料號: TS32/64MLQ64V8F及TS32/64MLQ72V8F）。
本記憶體模組是特別針對高性能的電腦而設計製造，適用於搭配高階晶片組的桌上型電腦和工作站。
目前DDR2-800記憶體模組每秒最大頻寬可達12.8GB（雙通道模式下）；透過1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量；先進的FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性。DDR2記憶體使用ODT（On-Die Termination）技術可降低高速運作下記憶體信號的回授，進而提高記憶體時脈的極限值。DDR2記憶體現今最高可達單顆4 Gbit的容量，搭配上FBGA封裝方式，讓記憶體模組的容量極限更往上推升。
創見256MB/512MB DDR2-800記憶體模組，採用原廠先進FBGA封裝技術所製造之32Mx8顆粒，搭配高可靠度的六層電路板，優越的設計造就了系統的高穩定性和高可靠度，創見256MB/512MB DDR2-800記憶體模組是高階市場的最佳選擇。
產品特色：
記憶體產品穩定耐用•高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固
記憶體類型： DDR2 Memory
針腳及模組： 240Pin DIMM
頻率： DDR2-800
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 1GB
顆粒： 64Mx8
電壓： 1.8 V
ＣＬ值： 5
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